用途：該儀器可適用不同種類器件的輻照，適用于器件輻射效應提參建模的試驗平臺，在器件設計、流片階段給出加固建議，評估抗輻射性能。為晶片級器件輻照、提參提供試驗條件，形成面向抗輻射器件研制全過程的輻射效應試驗評估、提參建模共性技術服務平臺，為元器件設計加固工藝的發展提供試驗技術支撐。

晶片級器件、芯片X射線輻照儀

用途：該儀器可適用不同種類器件的輻照，適用于器件輻射效應提參建模的試驗平臺，在器件設計、流片階段給出加固建議，評估抗輻射性能。為晶片級器件輻照、提參提供試驗條件，形成面向抗輻射器件研制全過程的輻射效應試驗評估、提參建模共性技術服務平臺，為元器件設計加固工藝的發展提供試驗技術支撐。

  系統參數

1. X射線球管最高電壓：160kV

2. 線束角度: 40°

3. 系統最大功率：6000W

4. X射線球管焦點尺寸：5.5 mm

5. 可調整照射距離(SSD)：OEM，以最終設計為準

6. 劑量控制：配置實時劑量監控儀，劑量率、累積劑量，輻照時間實時顯現。劑量率檢測范圍最大＞600gy/min。

7. 冷卻器：集成的閉合回路熱交換器

8. 載物臺：電動操作

9. 控制：PLC控制

10. 儀器具備門機連鎖和警示燈，確保使用安全性。

11. 同軸槽型常高溫吸附卡盤（OEM）

12. 卡盤XY位移平臺，Z軸快速升降，帶微調升降，卡盤可旋轉±45°

13. PSM1000顯微鏡、HDMI接口高清（200萬像素）CCD（可選配其他）

14. 顯微鏡XY位移平臺2＂*2＂

15. 防震桌900mm*800mm（最終尺寸以實際為準）

16. 三軸接口探針座

17. 空氣壓縮機

18. 可選配高低溫同軸卡盤、半自動探針臺、干燥空氣系統等。